Установка для процессов плазмохимического осаждения из газовой фазы с активацией плазмой емкостного разряда (СCP)
Особенности:
- Высокая адгезия наносимых покрытий
- Высокая скорость нанесения покрытий
- Низкая температура нанесения покрытий без ухудшения свойств покрытий
- Возможность нанесения покрытий на изделия со сложным рельефом
- Полностью автоматическая система согласования импеданса CCP
- Большой межпрофилактический интервал (обеспечение функции самоочистки);
- Широкий спектр опций позволяющих расширять возможности вакуумной установки и решить любые задачи PECVD метода нанесения покрытий
Дополнительные опции:
- Шлюзовая вакуумная камера с устройством автоматической загрузки образцов в технологическую вакуумную камеру
- Скруббер для очистки выхлопа
- Газораспределительный шкаф для токсичных, горючих и взрывоопасных газов
- Термостат
- Дополнительный внешний контур откачки для достижения экстремальной чистоты процесса нанесения
- Дополнительные газовые линии
- Система напуска камер Азотом (N2)
- Система подачи жидких реагентов
Технические характеристики:
| Предельное остаточное давление в чистой технологической вакуумной камере | 9х10-4 Па |
| Максимальный диаметр подложки | 200 мм |
| Максимальная толщина подложки | 3 мм |
| Материал подложки | Арсенид галлия (GaAs), кремний (Si), стекло и др. |
| Диапазон контролируемого давлений в вакуумной технологической камере во время процесса | 2 – 1000 Па |
| Предельная неравномерность покрытий
по толщине (исключая краевые зоны 5 мм) |
± 5,0 % |
| Скорость нанесения (по SiO2) | до 140 нм/мин |
| Расстояние от емкостного ВЧ разряда до подложкодержателя | Регулируемое для достижения необходимой равномерности |
| Функция очистки и активации подложки | СCP разряд в инертных газах или кислороде (О2) |
| Очистка технологической вакуумной камеры | Самоочистка – СCP разряд в реактивных газах |
| Газовая система | Интегрированная конфигурируемая мультиканальная газовая станция, с возможностью установки до 10 каналов газа |
Дополнительные возможности:
- Электростатический прижим подложки
- Система криогенного охлаждения подложки
- Система термостабилизации подложки с подачей гелия (He) под нижнюю часть подложки
- Исполнение подложкодержателя с подачей высокочастотного смещения, что позволяет регулировать энергетический спектр плазмы
- Система одноволнового либо широкополосного оптического контроля
- Оптическая эмиссионная спектроскопия
- Лазерная интерферометрия
- Интеграция в чистую комнату
Отзывы
Отзывов пока нет.