Вакуумная установка для оптических покрытий с технологией магнетронного распыления и окисления ВЧ плазмой
Технологически метод представляет собой нанесение тонких слоев металлов (1-3 нм) или полупроводников с последующим их окислением в среде ионизированного газа, что позволяет получать высококачественные покрытия диэлектриков с высокой скоростью нанесения. Конфигурация вакуумной установки делает возможным распыление двух различных материалов одновременно с контролируемой скоростью по каждому материалу.
Высокочастотный источник плазмы также служит для очистки и активации поверхности подложек перед нанесением покрытий.
Подложкодержатель барабанного типа, шлюзовая вакуумная камера и система оптического контроля по пролетающему свидетелю позволяет достичь высокой производительности с высоким процентом выхода годных изделий.
Технологические устройства:
- Высокочастотный источник плазмы
- Два DC-магнетрона
Особенности:
- Высокая скорость нанесения покрытий
- Наличие шлюзовой вакуумной камеры
- Подложкодержатель барабанного типа с набором граней различных размеров
- Система одноволнового либо широкополосного оптического контроля
- Одновременное распыление двух различных материалов мишеней магнетронов с контролируемой скоростью нанесения для каждого материала
Технические характеристики:
| Максимальный размер подложки
|
160×200 мм (до 7 шт. в загрузке) |
| Диаметр подложкодержателя барабанного типа | 425 мм |
| Максимальное количество подложек диаметром 30 мм в загрузке | 128 шт |
| Предельное остаточное давление в чистой технологической вакуумной камере | 1×10-4 Па |
| Предельная неравномерность покрытий по толщине | ± 1,0 % |
| Контроль покрытий | Система одноволнового либо широкополосного оптического контроля по пролетающему свидетелю |
Отзывы
Отзывов пока нет.